STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STP65N150M9

Na stanie magazynowym: 101

Stany magazynowe:
101 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
16,25 zł 16,25 zł
9,55 zł 95,50 zł
7,78 zł 778,00 zł
6,71 zł 3 355,00 zł
5,85 zł 5 850,00 zł
5,63 zł 11 260,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Single
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: CN
Czas zanikania: 10 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 5 ns
Seria: MDmesh M9
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 12 ns
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP65N150M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The device is suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it ideal for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.