STMicroelectronics Układy MOSFET

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 940Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 100 V 158 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V Logic level 2.2mOhm 167A STripFET F8 Power MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel logic level 40V 2.2 mOhm 167A STripFET F8 PowerMOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 40 V 167 A 3.2 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 34.5 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel