STMicroelectronics Tranzystory IGBT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Karta charakterystyki
766Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.02 V 20 V 87 A 441 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Karta charakterystyki
400Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube