Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SCT040TO65G3

Name: STMicroelectronics SCT040TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040TO65G3
Price: 35.52 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-SCT040TO65G3

Nr prod.:

SCT040TO65G3

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SCT040TO65G3 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics SCT040TO65G3

Na stanie magazynowym: 37

Stany magazynowe:: 37 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	35,52 zł	35,52 zł
	24,98 zł	249,80 zł
	19,82 zł	1 982,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1800)
	16,81 zł	30 258,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TOLL-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	35 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	63 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	42.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	288 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	16 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	5 ns
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SCT040TO65G3 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.