STMicroelectronics Elementy dyskretne półprzewodnikowe

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Karta charakterystyki
263Na stanie magazynowym
600Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Karta charakterystyki
720Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics SiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Karta charakterystyki
2 105Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 600

SiC Schottky Diodes SMD/SMT HU3PAK-9