Single SiC Półprzewodniki

Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS
onsemi JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Karta charakterystyki
592Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

onsemi JFETs 1200V/35MOSICJFETG3TO
Karta charakterystyki
533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 30


onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
Karta charakterystyki
417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Microchip Technology MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Karta charakterystyki
160Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SemiQ Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Karta charakterystyki
549Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1


onsemi IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
Karta charakterystyki
834Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
176Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Microchip Technology MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Karta charakterystyki
33Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Microchip Technology Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
1 525Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Karta charakterystyki
882Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SOT227
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1004
Karta charakterystyki
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011
Karta charakterystyki
80Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1014
Karta charakterystyki
80Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 25
: 100

onsemi IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
Karta charakterystyki
720Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 72
: 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
967Na stanie magazynowym
1 800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 800

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Karta charakterystyki
1 670Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

onsemi JFETs UF3N120007K4S
Karta charakterystyki
1 099Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 112

onsemi JFETs UG4SC075005L8S
Karta charakterystyki
1 075Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 108
: 2 000

onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Karta charakterystyki
540Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 54

onsemi JFETs UJ4N075004L8S
Karta charakterystyki
1 907Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 191
: 2 000

Vishay Semiconductors MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Karta charakterystyki
294Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1