JDV2S41AFS,L3M
Zobacz specyfikację produktu
Produc.:
Opis:
Varactor Diodes Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Dostępność
-
Stany magazynowe:
-
0Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
-
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
-
36Oczekiwane: 14.09.202613 200Oczekiwane: 22.09.2026
-
Średni czas produkcji:
-
18tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Cennik (PLN)
| Il. | Cena jednostkowa |
wewn. Cena
|
|---|---|---|
| 6,34 zł | 6,34 zł | |
| 3,90 zł | 39,00 zł | |
| 2,58 zł | 258,00 zł | |
| 2,03 zł | 1 015,00 zł | |
| 1,73 zł | 1 730,00 zł | |
| 1,57 zł | 3 925,00 zł | |
| 1,39 zł | 6 950,00 zł | |
| 1,35 zł | 13 500,00 zł | |
| 1,31 zł | 32 750,00 zł |
Karta charakterystyki
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
- TARIC:
- 8541100000
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- ECCN:
- EAR99
- Kraj pochodzenia:
- Tajlandia
- Kraj montażu:
- Niedostępne
- Kraj wytworzenia:
- Niedostępne
Polska
