STMicroelectronics Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
Karta charakterystyki
910Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN Single 10 A 700 V 9 V 1.5 V 57 W + 150 C MD1802FX Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT Hi Vltg FAST SWITCH NPN Pwr TRANSISTOR
Karta charakterystyki
409Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN Single 12 A 750 V 9 V 2 V 62 W + 150 C ST1510FX Tube