STGWA40H120F2

STMicroelectronics
511-STGWA40H120F2
STGWA40H120F2

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 580

Stany magazynowe:
580 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 580 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
27,43 zł 27,43 zł
15,82 zł 158,20 zł
11,95 zł 1 195,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
1.2 kV
2.5 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H120F2
Tube
Marka: STMicroelectronics
Prąd upływowy bramka–emiter: 250 nA
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 600
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 6,100 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99