STMicroelectronics Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 19
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN High Volt Power
Karta charakterystyki
3 411Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
Karta charakterystyki
16 512Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Karta charakterystyki
8 947Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
Karta charakterystyki
2 810Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
Karta charakterystyki
3 616Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
Karta charakterystyki
5 248Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
Karta charakterystyki
5 668Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
Karta charakterystyki
2 145Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
Karta charakterystyki
3 123Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
Karta charakterystyki
6 690Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
Karta charakterystyki
2 849Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 29.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
Karta charakterystyki
7 467Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr
Karta charakterystyki
6 008Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Karta charakterystyki
1 854Na stanie magazynowym
4 000Oczekiwane: 25.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Karta charakterystyki
3 938Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Karta charakterystyki
2 690Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Karta charakterystyki
2 492Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT High voltage Fast-switching NPN
Karta charakterystyki
1 344Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
Karta charakterystyki
5 997Oczekiwane: 25.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube