STMicroelectronics Elementy dyskretne półprzewodnikowe

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
Karta charakterystyki
33Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics MOSFET Modules ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 650 V, 23 mOhm SiC Power MOSFET NTC
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M se
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 18
Wielokr.: 18

IGBT Modules Si Screw Mount ACEPACK-2-35
STMicroelectronics IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M se
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 18
Wielokr.: 18

IGBT Modules Si Screw Mount ACEPACK-2
STMicroelectronics IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 18
Wielokr.: 18

IGBT Modules Si Press Fit ACEPACK2