Tranzystory JFET RF

Wyniki: 22
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Rodzaj tranzystora
Technologia
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Qorvo RF JFET Transistors 0.80mm Pwr pHEMT 100Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo RF JFET Transistors 1.20mm Pwr pHEMT 100Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100

pHEMT Tray
Qorvo RF JFET Transistors 1.60mm Pwr pHEMT 100Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Karta charakterystyki
140Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 10.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
Qorvo RF JFET Transistors 0.25 mm Pwr pHEMT 200Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo RF JFET Transistors 0.40 mm Pwr pHEMT 300Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo RF JFET Transistors 0.18 mm Pwr pHEMT 100Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo RF JFET Transistors 0.60 mm Pwr pHEMT 100Na stanie magazynowym
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100

pHEMT Reel
CEL RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Karta charakterystyki
2 660Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET Transistors RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Karta charakterystyki
12 202Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 15 000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Karta charakterystyki
3 214Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 18.12.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Karta charakterystyki
8 110Na stanie magazynowym
15 000Oczekiwane: 14.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 15 000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Karta charakterystyki
15 329Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 10 000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Karta charakterystyki
914Na stanie magazynowym
4 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL RF JFET Transistors 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Karta charakterystyki
16Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 03.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL CE3520K3
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Karta charakterystyki
270Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 14.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

pHEMT GaAs Bulk
MACOM GTRB267008FC-V1-R0
MACOM RF JFET Transistors
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
: 50
Reel
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
MACOM RF JFET Transistors
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 250
Wielokr.: 250
: 250
Reel
CEL RF JFET Transistors 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 15 000
Wielokr.: 15 000
: 15 000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL RF JFET Transistors Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
: 10 000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL RF JFET Transistors Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
: 10 000

Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM RF JFET Transistors DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50