Toshiba Tranzystory bipolarne RF

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Seria
Rodzaj tranzystora
Technologia
Polaryzacja tranzystora
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Ciągły prąd kolektora
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Konfiguracja
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Toshiba RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Karta charakterystyki
2 149Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MT3S113TU Bipolar SiGe NPN 11.2 GHz 200 5.3 V 600 mV 100 mA + 150 C Single SMD/SMT UFM-3 Reel, Cut Tape
Toshiba RF Bipolar Transistors Radio-frequency Bipolar Transistor
Karta charakterystyki
2 865Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

2SC5108 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
Karta charakterystyki
867Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

2SC5087 Bipolar Si NPN 8 GHz 120 12 V 3 V 80 mA - 55 C + 125 C Single SMD/SMT SMQ-4 Reel, Cut Tape, MouseReel