NXP Tranzystory bipolarne RF

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Seria
Rodzaj tranzystora
Technologia
Polaryzacja tranzystora
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Ciągły prąd kolektora
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Konfiguracja
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 99 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BFU530X Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143B-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 99 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

BFU550XR Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 50 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143R-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 99 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

BFU730F Bipolar Wideband SiGe NPN 55 GHz 205 2.8 V 1 V 5 mA + 150 C Single SMD/SMT SOT-343F-4 Reel, Cut Tape, MouseReel