STMicroelectronics PD57060S-E Seria Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Karta charakterystyki
872Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 400
Wielokr.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 600
Wielokr.: 600
Szpula: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel