.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Guerrilla RF Tranzystory MOSFET RF

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Zastosowane filtry:

Producent = Guerrilla RF

Id – Ciągły prąd drenu

Moc wyjściowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Id – Ciągły prąd drenu	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Częstotliwość robocza	Moc wyjściowa	Maksymalna temperatura robocza	Styl mocowania	Opakowanie
	RF MOSFET Transistors 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die Guerrilla RF GRF0020D GRF0020D Guerrilla RF Niedostępne na stanie Zamówienie specjalne z fabryki	Produc. Nr części GRF0020D Nr części Mouser 459-GRF0020D Zamówienie specjalne z fabryki	Guerrilla RF	RF MOSFET Transistors 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie		Oferta			GaN-on-SiC	1.27 mA	150 V	0 Hz to 7 GHz	30 W	+ 225 C	SMD/SMT	Waffle
	RF MOSFET Transistors 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die Guerrilla RF GRF0030D GRF0030D Guerrilla RF Niedostępne na stanie Zamówienie specjalne z fabryki	Produc. Nr części GRF0030D Nr części Mouser 459-GRF0030D Zamówienie specjalne z fabryki	Guerrilla RF	RF MOSFET Transistors 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie		Oferta			GaN-on-SiC	1.93 mA	150 V	0 Hz to 7 GHz	50 W	+ 225 C	SMD/SMT	Waffle

Guerrilla RF Tranzystory MOSFET RF

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie