Analog Devices / Maxim Integrated Tranzystory bipolarne RF

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Seria
Rodzaj tranzystora
Technologia
Polaryzacja tranzystora
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Ciągły prąd kolektora
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Konfiguracja
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Analog Devices / Maxim Integrated RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Karta charakterystyki
202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Karta charakterystyki
179Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Reel
Analog Devices / Maxim Integrated RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Reel