Central Semiconductor Tranzystory bipolarne RF

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Seria
Rodzaj tranzystora
Technologia
Polaryzacja tranzystora
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie emiter–baza VEBO
Ciągły prąd kolektora
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Konfiguracja
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor RF Bipolar Transistors . .
Karta charakterystyki
1 456Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Bipolar Si NPN 500 MHz 20 15 V 2.5 V 25 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole Bulk
Central Semiconductor CMUT5179 TR PBFREE
Central Semiconductor RF Bipolar Transistors NPN RF
Karta charakterystyki
2 826Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1

Bipolar Si NPN 100 MHz 25 15 V 2.5 V 50 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor RF Bipolar Transistors 20Vcbo 15Vceo 2.5Vebo 50mA 250mW
Karta charakterystyki
30 000Dostępne z magazynu fabrycznego
Więcej dostępnych informacji
Min.: 9 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

CMUT5179 Bipolar Si NPN 1.45 GHz 25 at 3 mA, 1 V 15 V 2.5 V 50 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-523-3 Reel
Central Semiconductor RF Bipolar Transistors NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 6 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 2 500

PN918 Bipolar Si NPN 20 at 3 mA, 1 V 15 V 3 V 50 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole TO-72-4 Bulk
Central Semiconductor RF Bipolar Transistors NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000

BFY90 Bipolar Si NPN 1.1 GHz 25 at 2 mA, 1 V 15 V 2.5 V 25 mA - 65 C + 200 C Single Through Hole TO-72-4 Bulk