STMicroelectronics Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

N-Channel Si 12 A 90 V 1.5 GHz 17.3 dB 80 W + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk