STMicroelectronics Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 100

Dual N-Channel Si 2.5 A 95 V 1 Ohms 1 GHz 20 dB 120 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel