STMicroelectronics Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 300
Szpula: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 300
Szpula: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 300
Wielokr.: 300
Szpula: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel