STMicroelectronics Tranzystory MOSFET RF

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 160
Wielokr.: 160
Szpula: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 160
Wielokr.: 160
Szpula: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel