Rodzaje

Zmień widok kategorii
Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Styl mocowania Opakowanie/obudowa Napięcie wyjścia
Texas Instruments Battery Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVT 5 850Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

SMD/SMT WSON-6 4.5 V
Texas Instruments Battery Management OverVltg Prot for 2- 3 Cell LiIon Batt A A 595-BQ294532DRVR Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 6 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 250

SMD/SMT WSON-6 4.5 V
Texas Instruments BQ294532DRVRG4
Texas Instruments Battery Management Overvoltage Protecti on Device for 2- to Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
Szpula: 3 000

Infineon Technologies Gate Drivers LEVEL SHIFT DRIVER 151Na stanie magazynowym
7 500Oczekiwane: 02.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DSO-8
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 176
Wielokr.: 176

SMD/SMT SOIC-32 25 V
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

SMD/SMT SOIC-32 25 V
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 176
Wielokr.: 176

SMD/SMT SOIC-32 25 V
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

SMD/SMT SOIC-32 25 V