STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 000
Oczekiwane: 25.02.2026
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
17,89 zł 17,89 zł
11,95 zł 119,50 zł
11,14 zł 278,50 zł
9,76 zł 976,00 zł
9,25 zł 2 312,50 zł
8,34 zł 4 170,00 zł
7,57 zł 7 570,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
6,45 zł 19 350,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marka: STMicroelectronics
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 65 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 65 ns
Napięcie wyjścia: 520 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 65 ns
Rds On – rezystancja dren–źródło: 6.8 Ohms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Nazwa handlowa: STDRIVE
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.