STDRIVEG212QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG212QTR
STDRIVEG212QTR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 613

Stany magazynowe:
613 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
14,28 zł 14,28 zł
9,46 zł 94,60 zł
8,60 zł 215,00 zł
7,31 zł 731,00 zł
6,97 zł 1 742,50 zł
6,24 zł 3 120,00 zł
5,85 zł 5 850,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
4,90 zł 14 700,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
Marka: STMicroelectronics
Zestaw projektowy: EVLSTDRIVEG212
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 65 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 65 ns
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Prąd roboczy zasilania: 900 uA
Napięcie wyjścia: 220 V
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 65 ns
Rds On – rezystancja dren–źródło: 4.8 Ohms
Zakończenie pracy: Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: GaN
Nazwa handlowa: STDRIVE
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.