Najnowsze Tranzystory JFET RF

Zastosowane filtry:
Nie dokonano żadnego wyboru Wróć do zakładki Produkty, aby zmodyfikować bieżące filtry.

CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07.09.2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2060D 600 µm typu pHEMT
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2060D 600 µm typu pHEMT
04.19.2022
Zapewniają 28 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 12 dB oraz 55% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2080D 800 µm typu pHEMT
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2080D 800 µm typu pHEMT
04.19.2022
Zapewniają 29,5 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 11,5 dB oraz 56% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2120D 1200 µm typu pHEMT
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2120D 1200 µm typu pHEMT
04.19.2022
Zapewniają 31 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 11,5 dB oraz 57% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2160D 1600 µm typu pHEMT
Qorvo Dyskretne tranzystory GaAs QPD2160D 1600 µm typu pHEMT
04.19.2022
Zapewniają 32,5 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 10,4 dB oraz 63% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
02.14.2022
Utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
02.14.2022
Developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
02.14.2022
Designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Przeglądanie: 1 - 8 z 8