STMicroelectronics Najnowsze Tranzystory RF

- Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.

- 170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.

- Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.

- Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.

- A plastic, 3 leads, 1.3mm pitch, 2mm x 1.25mm x 0.95mm body surface-mounted package.

- Contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package.

- Zapewniają 28 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 12 dB oraz 55% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.

- Zapewniają 31 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 11,5 dB oraz 57% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.

- Zapewniają 32,5 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 10,4 dB oraz 63% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.

- Zapewniają 29,5 dBm mocy wyjściowej w punkcie kompresji P1dB, wzmocnienie 11,5 dB oraz 56% sprawność typu POA (Power-Added Efficiency) przy 1 dB.