Najnowsze Elementy dyskretne półprzewodnikowe

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Lista Ilustracje

Zastosowane filtry:

Producent = Micro Commercial Components (MCC) Wróć do zakładki Produkty, aby zmodyfikować bieżące filtry.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02.12.2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02.12.2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02.12.2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02.07.2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01.02.2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12.30.2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12.30.2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1200 V Trench Field-Stop IGBT

11.28.2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystor MOSFET 100 V z kanałem typu N MCTL2D0N10YHR

11.25.2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11.22.2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) Diody ESD o ultraniskiej pojemności

11.15.2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11.04.2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystory mocy MOSFET 600 V Super Junction z kanałem typu N

10.04.2024

- Charakteryzują się niską rezystancją włączenia, niskimi stratami przewodzenia i miękkim przełączaniem oraz diodą szybką odzyskiwania wstecznego.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystory mocy MOSFET MCU1K4N95SH Super-Junction z kanałem typu N

10.03.2024

- Charakteryzują się niskim ładunkiem bramka-dren, co zmniejsza straty przewodzenia i zwiększa ogólną wydajność.

Micro Commercial Components (MCC) Zabezpieczenia motoryzacyjne ESD ESDULCx

09.27.2024

- Zaprojektowane do obsługi pojedynczej linii danych lub zasilania zapewniają wyjątkową wydajność w nowoczesnych zastosowaniach.

Micro Commercial Components (MCC) Dioda TVS SM6S24AHE3

09.18.2024

- Zaprojektowana z myślą o niezawodnej ochronie przed przepięciami i dostarczana w kompaktowej obudowie DO-218AB-2.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystor MOSFET MCGL2D1N03YL z kanałem typu N

09.04.2024

- Tranzystor mocy MOSFET 30 V zaprojektowany w celu zapewnienia dobrej wydajności termicznej przy niskich stratach mocy.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystory MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) SICWx

09.03.2024

- Tranzystory MOSFET SiC 650 V mają możliwość szybkiego przełączania i są dostępne w obudowie TO-247.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystory MOSFET SiC SICW0x 1200 V z kanałem typu N

09.03.2024

- Zwiększają wydajność i są umieszczone we wszechstronnych obudowach TO-247-4, TO-247-4L i TO-247AB.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystory MOSFET 600 V z kanałem typu N

09.03.2024

- Technologia Super-Junction (SJ) charakteryzuje się niską rezystancją RDS(on) i zintegrowaną diodą szybkiego odzyskiwania.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystor MOSFET MCP2D6N10Y 100 V z kanałem typu N

08.28.2024

- Tranzystor MOSFET 100 V z kanałem typu N jest przeznaczony do przełączania dużej mocy.

Micro Commercial Components (MCC) Diody ESD 3,3 V

08.27.2024

- Chronią do ośmiu szybkich linii we/wy dzięki uniwersalnym obudowom SMD.

Micro Commercial Components (MCC) Tranzystor MOSFET MCG50P03B 30 V z kanałem typu P

08.19.2024

- Zaprojektowany z myślą o stosowaniu w miejscach o ograniczonej przestrzeni i wymagających niezawodnej wydajności.

Przeglądanie: 1 - 25 z 107

Filtruj wg:

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02.05.2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay Power Silicon Carbide Schottky Diodes

02.03.2026

- Delivers exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics apps.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Designed for demanding power conversion applications

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02.03.2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02.03.2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02.03.2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02.02.2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A GaN Input Matched Transistors

01.20.2026

- 15W (P3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

IXYS Diody wysokonapięciowe DP o szybkim odzyskiwaniu

01.20.2026

- 600V or 1200V Schottky diodes with low reverse leakage current and fast recovery time.

Qorvo QPD1011A GaN Input Matched Transistors

01.19.2026

- 7W (P3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Qorvo QPD1004A GaN Input Matched Transistors

01.19.2026

- 25W, 50Ω input matched discrete GaN on SiC HEMT operates from 30MHz to 1400MHz on a 50V supply rail.

Littelfuse Diody o wysokiej niezawodności SM15KPA-HRA i SM30KPA-HRA

01.13.2026

- Protects I/O interfaces, VCC bus, and other circuits in avionics, aviation, and eVTOL applications.

Littelfuse Diody TVS SP432x-01WTG

01.08.2026

- Provide ultra-low capacitance, bidirectional, and a high level of protection.

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

12.26.2025

- This device offers a low QRR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

12.23.2025

- Sets industry benchmark performance with a wide portfolio offering.

onsemi NVMFD5877NL Dual N-Channel MOSFET

12.19.2025

- Designed for compact and efficient designs including high thermal performance.

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

12.19.2025

- Engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

12.04.2025

- Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN transistor designed for high-efficiency power conversion applications.

Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

12.01.2025

- DTO247 package, replaces multiple lower-current transistors in TO247 packages connected in parallel.

onsemi NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET

11.25.2025

- Built using PowerTrench technology for extremely low RDS(on) switching performance and ruggedness.

onsemi FDC642P-F085 Small Signal MOSFET

11.25.2025

- Offers a high-performance trench technology for extremely low RDS(on) and fast switching speed.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11.24.2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11.24.2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

Bourns SMLJ-R Transient Voltage Suppressor Diodes

11.24.2025

- Designed for surge and ESD protection in compact chip package DO-214AB (SMC) size format.

Przeglądanie: 1 - 25 z 1223

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Filtruj wg:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie