MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

Micron
340-471798
MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

Produc.:

Opis:
Memory Modules DDR4 8GByte SODIMM

Cykl życia:
Weryfikacja statusu w fabryce:
Informacje dotyczące cyklu życia są niejednoznaczne. Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować dostępność tego numeru części u producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 269

Stany magazynowe:
269
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
100
Oczekiwane: 24.02.2026
2 290
500
Oczekiwane: 18.03.2026
790
Oczekiwane: 15.04.2026
1 000
Oczekiwane: 24.12.2026
Średni czas produkcji:
53
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 2659 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 200
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
1 049,54 zł 1 049,54 zł
965,74 zł 9 657,40 zł
933,62 zł 23 340,50 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micron Technology
Kategoria produktów: Moduły pamięci
RoHS:  
SODIMMs
8 GB
DDR4
3200 MT/s
1.2 V
+ 95 C
260 Pin
Marka: Micron
Wymiary: 69.73 mm x 30.13 mm x 3.7 mm
Minimalna temperatura robocza: 0 C
Opakowanie: Tray
Rodzaj produktu: Memory Modules
Wielkość opakowania producenta: 100
Podkategoria: Memory & Data Storage
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8473309000
CAHTS:
8473302000
USHTS:
8473301140
MXHTS:
8473300401
ECCN:
4A994.a

DDR4 SDRAM

Micron DDR4 SDRAM has new features centered on power savings, performance enhancement, manufacturability, and reliability improvements. These features improve performance, power, manufacturability, reliability and stacking capabilities for the enterprise, cloud, ultrathin, tablet, automotive and embedded markets. DDR4 has data rates up to 3200MT/s, an operating voltage of 1.2V and additional power saving features. Increases performance up to 50% and deliver total energy savings up to 25% compared to DDR3.