R1RW0416DGE-2LR#B1

Renesas Electronics
968-R1RW0416DGE2LRB1
R1RW0416DGE-2LR#B1

Produc.:

Opis:
SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
46,18 zł 46,18 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Renesas Electronics
Kategoria produktów: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
256 k x 16
12 ns
3.6 V
3 V
130 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
SOJ-44
Tray
Marka: Renesas Electronics
Rodzaj pamięci: SRAM
Rodzaj produktu: SRAM
Wielkość opakowania producenta: 18
Podkategoria: Memory & Data Storage
Rodzaj: High Speed
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542324500
USHTS:
8542320041
ECCN:
3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.