D5116ANBHXGXN-UF

Kingston
524-D5116ANBHXGXN-UF
D5116ANBHXGXN-UF

Produc.:

Opis:
DRAM DDR4 8Gb 96 ball 512Mx16 3200Mbps

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 20

Stany magazynowe:
20 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
350,95 zł 350,95 zł
323,65 zł 3 236,50 zł
313,03 zł 7 825,75 zł
305,09 zł 15 254,50 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Kingston
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 GB
FBGA-96
512 M x 16
1.14 V
1.26 V
0 C
+ 95 C
Tray
Marka: Kingston
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: SDRAM
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Memory & Data Storage
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

USHTS:
8542320036
ECCN:
EAR99

LPDDR4 DRAM Devices

Kingston LPDDR4 DRAM Devices feature low power consumption and an auto precharge option for each burst access. These DRAM devices offer DMI pin support for write data masking and DBIdc functionality. The LPDDR4 DRAM devices are packaged in FBGA-200 and have 8Gbits die density. These DRAM devices feature Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR) by a built-in temperature sensor and per bank refresh. The LPDDR4 DRAM devices operate at -25°C to 85°C temperature range, 1.6GHz maximum clock frequency, and 1.06V to 1.95V supply voltage range.