+ 85 C Pamięć DRAM

Wyniki: 649
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Rodzaj Wielkość pamięci Szerokość magistrali danych Maksymalna częstotliwość zegara Opakowanie/obudowa Organizacja Czas dostępu Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 426Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Kingston DRAM 32Gb 1024Mx32 200 ball LPDDR4x 4266MHz 90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SDRAM - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 1024 M x 32 3.5 ns 600 mV 1.8 V - 25 C + 85 C Tray
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4x 4266MHz SDP 108Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 600 mV 1.8 V - 25 C + 85 C Tray
Kingston DRAM 64Gb 200 ball LPDDR4x 4266Mhz 37Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SDRAM - LPDDR4 64 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 2048 M x 32 600 mV 1.8 V - 25 C + 85 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 106Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 512Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 46Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 32 570 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 Czas realizacji 10 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM5116SD Tray
Micron MT53E768M16D1ZW-046 WT:C
Micron DRAM LPDDR4 12Gbit 16 200/264 TFBGA 1 WT 934Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 12 Gbit 16 bit 2.133 GHz TFBGA-200 768 M x 16 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT 398Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 200

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT 75Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 638Na stanie magazynowym
3 380Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 351Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 372Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 953Na stanie magazynowym
4 800Oczekiwane: 28.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 326Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 908Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 676Na stanie magazynowym
338Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642DPBHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 902Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 474Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 736Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 782Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1 775Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 890Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies DRAM SPCM 20Na stanie magazynowym
676Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray