200 MHz Pamięć DRAM

Wyniki: 134
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Rodzaj Wielkość pamięci Szerokość magistrali danych Maksymalna częstotliwość zegara Opakowanie/obudowa Organizacja Czas dostępu Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz at CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS 102Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz BGA-144 4 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 369Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 17.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray 112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray 23Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray 1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray 108Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR 1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
14 400Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 59Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 96Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM 54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
581Oczekiwane: 13.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 4 800
Wielokr.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 Czas realizacji 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 260
Wielokr.: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 260
Wielokr.: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel