200 MHz Pamięć DRAM

Wyniki: 146
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Rodzaj Wielkość pamięci Szerokość magistrali danych Maksymalna częstotliwość zegara Opakowanie/obudowa Organizacja Czas dostępu Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 1 322Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 1 216Na stanie magazynowym
14 400Oczekiwane: 21.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 2 534Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 3 792Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 1 658Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 844Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 553Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 4 993Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 160Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM 636Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 4 489Na stanie magazynowym
1Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C W956A8MBYA Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 426Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Winbond DRAM 256Mb DDR SDRAM x16, 200Mhz, Ind temp 860Na stanie magazynowym
436Oczekiwane: 21.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C W9425G6KH Tray
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x32, 200MHz 73Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 100

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz VFBGA-90 16 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C W949D2DB Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz 142Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 34Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray 101Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray 117Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray 159Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A) 189Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1A Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 942Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V
Infineon Technologies DRAM SPCM 203Na stanie magazynowym
520Oczekiwane: 30.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray