IS66WVH8M8BLL-100B1LI

ISSI
870-WVH8M8BLL100B1LI
IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Produc.:

Opis:
DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 781

Stany magazynowe:
781
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
480
Oczekiwane: 17.04.2026
Średni czas produkcji:
14
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 423
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
21,16 zł 21,16 zł
19,69 zł 196,90 zł
19,14 zł 478,50 zł
19,05 zł 952,50 zł
18,62 zł 1 862,00 zł
17,85 zł 4 462,50 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ISSI
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
HyperRAM
64 Mbit
8 bit
100 MHz
TFGBA-24
8 M x 8
40 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS66WVH8M8BLL
Marka: ISSI
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: TW
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: DRAM
Wielkość opakowania producenta: 480
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 35 mA
Nazwa handlowa: HyperRAM
Jednostka masy: 84 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.