MT41K256M16TW-107 XIT:P

Micron
340-306853-TRAY
MT41K256M16TW-107 XIT:P

Produc.:

Opis:
DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 IT

Cykl życia:
Weryfikacja statusu w fabryce:
Informacje dotyczące cyklu życia są niejednoznaczne. Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować dostępność tego numeru części u producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 6

Stany magazynowe:
6 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 6 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
104,92 zł 104,92 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micron Technology
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
16 bit
933 MHz
FBGA-96
256 M x 16
13.91 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
MT41K
Tray
Marka: Micron
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: DRAM
Wielkość opakowania producenta: 1224
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 46 mA
Jednostka masy: 4,893 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Tajwan
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.