4 Gbit Układy scalone pamięci

Wyniki: 312
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Produkt Rodzaj produktu Styl mocowania Opakowanie/obudowa Wielkość pamięci Rodzaj interfejsu
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 090
Wielokr.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 090
Wielokr.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-78 4 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 420
Wielokr.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 136
Wielokr.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 136
Wielokr.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R Niedostępne na stanie
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
: 1 500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
: 1 500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
: 1 500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel

ISSI NAND Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI
ISSI NAND Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 4 000
Wielokr.: 4 000
: 4 000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 136
Wielokr.: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 36 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit