MT46V32M16P-5B:J

Micron
340-122552-TRAY
MT46V32M16P-5B:J

Produc.:

Opis:
DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT

Cykl życia:
Weryfikacja statusu w fabryce:
Informacje dotyczące cyklu życia są niejednoznaczne. Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować dostępność tego numeru części u producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 838

Stany magazynowe:
2 838 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 2838 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 100
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
38,39 zł 38,39 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micron Technology
Kategoria produktów: Pamięć DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-66
32 M x 16
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
Marka: Micron
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Rodzaj produktu: DRAM
Wielkość opakowania producenta: 1080
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 85 mA
Jednostka masy: 551 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Tajwan
Kraj montażu:
Tajwan
Kraj wytworzenia:
Stany Zjednoczone
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Pamięć SDRAM DDR

Pamięć SDRAM DDR firmy Mikron umożliwia zastosowania związane z przesyłaniem danych na rosnących i opadających zboczach sygnału zegarowego. Przyczynia się to do podwojenia szerokości pasma i poprawia parametry pracy w porównaniu z SDRAM SDR. W celu osiągnięcia tej funkcjonalności firma Micron wykorzystuje architekturę pobierania wstępnego 2n, w której wewnętrzna magistrala danych jest dwukrotnie większa niż zewnętrzna magistrala danych, zatem przechwytywanie danych może zachodzić dwa razy w każdym cyklu zegara.