MAPC-A3010-ABSB1

MACOM
937-MAPC-A3010-ABSB1
MAPC-A3010-ABSB1

Produc.:

Opis:
RF Development Tools Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o MACOM MAPC-A3010-ABSB1
Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.

Na stanie magazynowym: 1

Stany magazynowe:
1 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
8 686,86 zł 8 686,86 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
MACOM
Kategoria produktów: Narzędzia do rozbudowy układów RF
Ograniczenia dotyczące wysyłki
 Produkt ten może wymagać dodatkowej dokumentacji przy eksporcie ze Stanów Zjednoczonych.
RoHS:  
Add-On Boards
RF Transistor
MAPC-A3010-AB
0 Hz to 4 GHz
Marka: MACOM
Rodzaj produktu: RF Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
9030820000
CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.