Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MAPC-A3005-ASSB1

Name: MACOM MAPC-A3005-ASSB1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ASSB1
Price: 6489.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

937-MAPC-A3005-ASSB1

Nr prod.:

MAPC-A3005-ASSB1

Produc.:

MACOM

Opis:

RF Development Tools Application & Test Fixture, MAPC-A3005

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

MAPC-A3005-ASSB1 Karta charakterystyki (PDF)

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM MAPC-A3005-ASSB1

Na stanie magazynowym: 2

Stany magazynowe:: 2 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6 489,99 zł	6 489,99 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Narzędzia do rozbudowy układów RF
RoHS:
Produkt:	Add-On Boards
Rodzaj:	RF Transistor
Narzędzie służy do oceny:	MAPC-A3005-AS
Częstotliwość:	DC to 8 GHz
Marka:	MACOM
Rodzaj produktu:	RF Development Tools
Wielkość opakowania producenta:	1
Podkategoria:	Development Tools

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MAPC-A3005-ASSB1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.