N-Channel Power MOSFET Układy MOSFET

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 597Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 736Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 2 494Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 2 750Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 1 730Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 1 800Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPAK-10x12 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 840Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V 279Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Taiwan Semiconductor MOSFETs 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET 5 398Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 1.4 A 392 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 160 nC + 175 C 288 W Enhancement Reel, Cut Tape
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 55 V 180 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 160 nC + 175 C 288 W Enhancement Reel, Cut Tape