SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R012M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
257,87 zł
909 Na stanie magazynowym
Nr części Mouser
726-IMYH200R012M1HXK
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
909 Na stanie magazynowym
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
123 A
16.5 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
246 nC
- 55 C
+ 150 C
552 W
Enhancement
CoolSIC
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R024M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
143,58 zł
599 Na stanie magazynowym
960 Oczekiwane: 02.03.2026
Nr części Mouser
726-IMYH200R024M1HXK
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
599 Na stanie magazynowym
960 Oczekiwane: 02.03.2026
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
89 A
33 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
137 nC
- 55 C
+ 150 C
576 W
Enhancement
CoolSIC
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R075M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
65,92 zł
128 Na stanie magazynowym
480 Oczekiwane: 10.12.2026
Nr części Mouser
726-IMYH200R075M1HXK
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
128 Na stanie magazynowym
480 Oczekiwane: 10.12.2026
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
34 A
98 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
267 W
Enhancement
CoolSIC
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R050M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
79,89 zł
10 Na stanie magazynowym
1 440 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMYH200R050M1HXK
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
10 Na stanie magazynowym
1 440 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
720 Oczekiwane: 12.03.2026
720 Oczekiwane: 13.08.2026
Średni czas produkcji:
26 tygodni
1
79,89 zł
10
58,87 zł
100
54,27 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
48 A
64 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
348 W
Enhancement
CoolSIC
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
IMYH200R100M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
60,89 zł
13 713 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nr części Mouser
726-IMYH200R100M1HXK
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
13 713 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
4 353 Oczekiwane: 02.07.2026
9 360 Oczekiwane: 20.08.2026
Średni czas produkcji:
26 tygodni
1
60,89 zł
10
47,13 zł
100
40,76 zł
480
40,72 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
2 kV
26 A
131 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.5 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
217 W
Enhancement
CoolSIC