Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPTC007N06NM5ATMA1

Name: Infineon IPTC007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-TC007N06NM5ATMA1
Price: 25.8 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-TC007N06NM5ATMA1

Nr prod.:

IPTC007N06NM5ATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET 60V

Karta charakterystyki:

IPTC007N06NM5ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPTC007N06NM5ATMA1

Na stanie magazynowym: 2 498

Stany magazynowe:: 2 498 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	25,80 zł	25,80 zł
	17,50 zł	175,00 zł
	13,03 zł	1 303,00 zł
	11,95 zł	11 950,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1800)
	11,05 zł	19 890,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HDSOP-16
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	454 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	750 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.1 V
Qg – ładunek bramki:	209 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	375 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	22 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	330 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	18 ns
Seria:	IPTC007N06
Wielkość opakowania producenta:	1800
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	76 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	38 ns
Nazwy umowne nr części:	IPTC007N06NM5 SP005753483

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPTC007N06NM5ATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower R_DS(on) and Figure of Merit (R_DS(on) x Q_g) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.