SQJ185ELPT1GE3 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Karta charakterystyki
6 876Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 80 V 62 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A
Si