PJT138KR100001 Układy MOSFET

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Karta charakterystyki
26 999Oczekiwane: 22.05.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Układy MOSFET SOT363 N-CH 50V .36A
Karta charakterystyki
N/A

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 10 000
Wielokr.: 10 000
Szpula: 10 000

Si Reel