PJQ5439ER200201 Układy MOSFET

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Karta charakterystyki
2 710Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 18.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit PJQ5439E-R2-00201
Panjit Układy MOSFET
Karta charakterystyki
N/A