IPG20N10S4L-22A Układy MOSFET

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
4 998Oczekiwane: 10.05.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET
Karta charakterystyki
7 254Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 5 000
Wielokr.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET
Karta charakterystyki
187Na stanie magazynowym
10 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 20 mOhms, 20 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel