BC846BPDW1T1G Tranzystory bipolarne - BJT

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Maksymalny prąd DC kolektora
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Seria
Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual Complementary
Karta charakterystyki
64 211Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies BC846BPDW1T1G
Infineon Technologies Tranzystory bipolarne - BJT N/A
Si NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C

onsemi Bipolar Transistors - BJT SS DUAL GEN XSTR
Karta charakterystyki
9 115Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 250 mV, 300 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
Karta charakterystyki
81Na stanie magazynowym
153 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
Karta charakterystyki
30 000Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel