B82804E0164A200

EPCOS / TDK
871-B82804E0164A200
B82804E0164A200

Produc.:

Opis:
Power Transformers Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 245

Stany magazynowe:
245 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
25 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
18,71 zł 18,71 zł
14,96 zł 149,60 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 250)
12,73 zł 3 182,50 zł
12,56 zł 6 280,00 zł
12,38 zł 12 380,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
TDK
Kategoria produktów: Transformatory mocy
RoHS:  
Power Transformers
SMD/SMT
Single Primary Winding
Dual Secondary Winding
11.45 mm
10.7 mm
10.55 mm
EP9
Marka: EPCOS / TDK
Indukcyjność: 260 uH
Maksymalna temperatura robocza: + 150 C
Minimalna temperatura robocza: - 40 C
Częstotliwość robocza: 100 kHz to 400 kHz
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Rodzaj produktu: Power Transformers
Wielkość opakowania producenta: 250
Podkategoria: Transformers
Styl styku: SMD/SMT
Turns Ratio Pri:Sec: 1:2.8:1.53
Rodzaj: Half Bridge
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

USHTS:
8504312000
JPHTS:
850431000
ECCN:
EAR99

Transformatory napędu bramek EP9 IGBT

EPCOS/TDK EP9 IGBT Gate Drive Transformers are compact devices built on an MnZn ferrite core with an SMD L-pin construction.These transformers offer excellent insulation, minimal coupling capacitance, and high thermal resilience. The EP9 IGBT gate drive transformers support half-bridge or push-pull topologies. These transformers feature a 2pF low coupling capacity and ≥5mm clearance distance (cumulative and core floating). The EP9 IGBT gate drive transformers operate within the 100kHz to 400kHz frequency range and -40°C to 150°C temperature range.  These transformers are RoHS compliant and AEC-Q200 qualified. The EP9 IGBT gate drive transformers are designed specifically for IGBT and FET gate driver circuits. Typical applications include isolated DC-DC converters, isolated AC-DC converters, and gate driver circuits.