Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVH4L018N075SC1

Name: onsemi NVH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L018N075SC1
Price: 100.02 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVH4L018N075SC1

Nr prod.:

NVH4L018N075SC1

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V

Karta charakterystyki:

NVH4L018N075SC1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVH4L018N075SC1

Dostępność

Stany magazynowe:: Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

1 800 Termin wysyłki - 20 dzień/dni

Wpisz ilość:

Minimum: 450 Wielokrotności: 450

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	100,02 zł	45 009,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Seria:	NVH4L018N075SC1
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVH4L018N075SC1 Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.